Realization low resistivity of high AlN mole fraction Si-doped AlGaN by suppressing the formation native vacancies
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yang, J.; Zhang, Y. H.; Zhao, D. G.; Chen, P.; Liu, Z. S.; Liang, F. |
| 刊名 | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
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| 出版日期 | 2021 |
| 卷号 | 570页码:126245 |
| 公开日期 | 2021 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/31025]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yang, J.; Zhang, Y. H.; Zhao, D. G.; Chen, P.; Liu, Z. S.; Liang, F.. Realization low resistivity of high AlN mole fraction Si-doped AlGaN by suppressing the formation native vacancies[J]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2021,570:126245. |
| APA | Yang, J.; Zhang, Y. H.; Zhao, D. G.; Chen, P.; Liu, Z. S.; Liang, F..(2021).Realization low resistivity of high AlN mole fraction Si-doped AlGaN by suppressing the formation native vacancies.JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,570,126245. |
| MLA | Yang, J.; Zhang, Y. H.; Zhao, D. G.; Chen, P.; Liu, Z. S.; Liang, F.."Realization low resistivity of high AlN mole fraction Si-doped AlGaN by suppressing the formation native vacancies".JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 570(2021):126245. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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