Origin of hydrogen passivation in 4H-SiC
文献类型：期刊论文
| 作者 | Cai, Xuefen; Yang, Yang; Deng, Hui-Xiong; Wei, Su-Huai |
| 刊名 | PHYSICAL REVIEW MATERIALS
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| 出版日期 | 2021 |
| 卷号 | 5期号:6页码:64604 |
| 公开日期 | 2021 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/30962]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Cai, Xuefen; Yang, Yang; Deng, Hui-Xiong; Wei, Su-Huai. Origin of hydrogen passivation in 4H-SiC[J]. PHYSICAL REVIEW MATERIALS,2021,5(6):64604. |
| APA | Cai, Xuefen; Yang, Yang; Deng, Hui-Xiong; Wei, Su-Huai.(2021).Origin of hydrogen passivation in 4H-SiC.PHYSICAL REVIEW MATERIALS,5(6),64604. |
| MLA | Cai, Xuefen; Yang, Yang; Deng, Hui-Xiong; Wei, Su-Huai."Origin of hydrogen passivation in 4H-SiC".PHYSICAL REVIEW MATERIALS 5.6(2021):64604. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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