宽禁带半导体物理
文献类型：期刊论文
| 作者 | 申德振
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| 刊名 | 科学观察
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| 出版日期 | 2021-10-15 |
| 卷号 | 16期号:05页码:85-88 |
| 英文摘要 | 宽禁带半导体材料包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、氧化镓(Ga_2O_3)和金刚石等,也被称为第3代半导体材料。与硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等前两代传统半导体材料相比,宽禁带半导体材料除具有优异的光电特性外,还具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强、介电常数低等优越性能,因此宽禁带半导体材料被广泛用于制作电子电力和光电器件, |
| URL标识 | 查看原文 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/66086]  |
| 专题 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 申德振. 宽禁带半导体物理[J]. 科学观察,2021,16(05):85-88. |
| APA | 申德振.(2021).宽禁带半导体物理.科学观察,16(05),85-88. |
| MLA | 申德振."宽禁带半导体物理".科学观察 16.05(2021):85-88. |
入库方式： OAI收割
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