光折变X射线半导体超快响应芯片空间性能的实验研究
文献类型:期刊论文
作者 | 谭小波3; 闫欣2![]() ![]() ![]() |
刊名 | 光子学报
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出版日期 | 2022-02-25 |
卷号 | 51期号:2 |
关键词 | 光折变效应 X射线成像 超快成像 空间分辨率 动态范围 |
ISSN号 | 10044213 |
DOI | 10.3788/gzxb20225102.0251215 |
其他题名 | Experimental Study on the Spatial Performance of Photorefractive X-ray Semiconductor Ultrafast Response Chip |
产权排序 | 2 |
英文摘要 | 利用高能量纳秒激光轰击Al靶材产生的X射线作为信号源,对光折变X射线半导体响应芯片的空间性能进行实验研究。结果表明,低温生长AlGaAs芯片具备在X射线入射能量120∶1的动态范围内进行高空间分辨的大画幅成像能力,最优空间分辨率≥35 lp/mm@MTF=0.1,成像画幅可达6.7 mm×6.7 mm。该研究对于光折变X射线超快成像系统的研制具有参考意义。 |
语种 | 中文 |
CSCD记录号 | CSCD:7181918 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/95984] ![]() |
专题 | 条纹相机工程中心 |
通讯作者 | 庄钊文 |
作者单位 | 1.中国工程物理研究院激光聚变研究中心 2.中国科学院西安光学精密机械研究所超快诊断技术重点实验室 3.国防科技大学电子科学学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 谭小波,闫欣,易涛,等. 光折变X射线半导体超快响应芯片空间性能的实验研究[J]. 光子学报,2022,51(2). |
APA | 谭小波.,闫欣.,易涛.,何凯.,邵铮铮.,...&庄钊文.(2022).光折变X射线半导体超快响应芯片空间性能的实验研究.光子学报,51(2). |
MLA | 谭小波,et al."光折变X射线半导体超快响应芯片空间性能的实验研究".光子学报 51.2(2022). |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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