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光折变X射线半导体超快响应芯片空间性能的实验研究

文献类型:期刊论文

作者谭小波3; 闫欣2; 易涛1; 何凯2; 邵铮铮3; 周凯凯3; 高贵龙2; 汪韬2; 张军3; 庄钊文3
刊名光子学报
出版日期2022-02-25
卷号51期号:2
关键词光折变效应 X射线成像 超快成像 空间分辨率 动态范围
ISSN号10044213
DOI10.3788/gzxb20225102.0251215
其他题名Experimental Study on the Spatial Performance of Photorefractive X-ray Semiconductor Ultrafast Response Chip
产权排序2
英文摘要

利用高能量纳秒激光轰击Al靶材产生的X射线作为信号源,对光折变X射线半导体响应芯片的空间性能进行实验研究。结果表明,低温生长AlGaAs芯片具备在X射线入射能量120∶1的动态范围内进行高空间分辨的大画幅成像能力,最优空间分辨率≥35 lp/mm@MTF=0.1,成像画幅可达6.7 mm×6.7 mm。该研究对于光折变X射线超快成像系统的研制具有参考意义。

语种中文
CSCD记录号CSCD:7181918
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/95984]  
专题条纹相机工程中心
通讯作者庄钊文
作者单位1.中国工程物理研究院激光聚变研究中心
2.中国科学院西安光学精密机械研究所超快诊断技术重点实验室
3.国防科技大学电子科学学院
推荐引用方式
GB/T 7714
谭小波,闫欣,易涛,等. 光折变X射线半导体超快响应芯片空间性能的实验研究[J]. 光子学报,2022,51(2).
APA 谭小波.,闫欣.,易涛.,何凯.,邵铮铮.,...&庄钊文.(2022).光折变X射线半导体超快响应芯片空间性能的实验研究.光子学报,51(2).
MLA 谭小波,et al."光折变X射线半导体超快响应芯片空间性能的实验研究".光子学报 51.2(2022).

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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