Improved linewidth enhancement factor of 1.3-mu m InAs/GaAs quantum dot lasers by direct Si doping
文献类型：期刊论文
| 作者 | Qiu, Ya-Qi; Lv, Zun-Ren; Wang, Hong; Wang, Hao-Miao; Yang, Xiao-Guang; Yang, Tao |
| 刊名 | AIP ADVANCES
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| 出版日期 | 2021 |
| 卷号 | 11期号:5页码:55002 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/31261]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Qiu, Ya-Qi; Lv, Zun-Ren; Wang, Hong; Wang, Hao-Miao; Yang, Xiao-Guang; Yang, Tao. Improved linewidth enhancement factor of 1.3-mu m InAs/GaAs quantum dot lasers by direct Si doping[J]. AIP ADVANCES,2021,11(5):55002. |
| APA | Qiu, Ya-Qi; Lv, Zun-Ren; Wang, Hong; Wang, Hao-Miao; Yang, Xiao-Guang; Yang, Tao.(2021).Improved linewidth enhancement factor of 1.3-mu m InAs/GaAs quantum dot lasers by direct Si doping.AIP ADVANCES,11(5),55002. |
| MLA | Qiu, Ya-Qi; Lv, Zun-Ren; Wang, Hong; Wang, Hao-Miao; Yang, Xiao-Guang; Yang, Tao."Improved linewidth enhancement factor of 1.3-mu m InAs/GaAs quantum dot lasers by direct Si doping".AIP ADVANCES 11.5(2021):55002. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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