CC-55 ZrO_2材料离子电导率-温度关系非线性Arrhenius行为的一种新的解释
文献类型：会议论文
| 作者 | 陈运法 ; 陈运法; 陈运法
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| 出版日期 | 2003 |
| 会议名称 | 中国硅酸盐学会2003年学术年会 |
| 会议日期 | 2003 |
| 会议地点 | 中国北京 |
| 关键词 | 非线性Arrhenius行为:8844 离子电导率:3296 温度关系:2532 ZrO_2:1111 电导活化能:940 载流子浓度:907 固体电解质:664 掺杂阳离子:664 国家杰出青年科学基金:627 过程工程:522 |
| 页码 | 1 |
| 中文摘要 | <正>已经有大量的文献报道表明:在较低温度下,ZrO_2基固体电解质材料的离子电导率随温度的变化关系不符合经典的Arrhenius关系。这一现象通常称为非线性Arrhenius行为。关于这一实验现象已经提出了一些解释,其中被普遍接受的观点之一是:材料中存在的载流子——氧空位在低温下会与掺杂阳离子形成缔合缺陷,从而使得材料的电导活化能随温度的升高呈增大趋势。本研究表明:这一经典的解释忽略了由于温度升高导致的载流子浓度变化对实验结果的影响,因而存在一些 |
| 会议录 | 中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/2420]  |
| 专题 | 过程工程研究所_研究所（批量导入） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈运法,陈运法,陈运法. CC-55 ZrO_2材料离子电导率-温度关系非线性Arrhenius行为的一种新的解释[C]. 见:中国硅酸盐学会2003年学术年会. 中国北京. 2003. |
入库方式： OAI收割
来源：过程工程研究所
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