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Low-Temperature Performance of Accumulation-Mode p-Channel Wrap-Gated FinFETs

文献类型:期刊论文

作者Zhang, Yanbo ; Du, Yandong ; Chen, Yankun ; Li, Xiaoming ; Yang, Xiang ; Han, Weihua ; Yang, Fuhua
刊名journal of nanoscience and nanotechnology
出版日期2013
卷号13期号:2页码:804-807
学科主题微电子学
收录类别SCI
语种英语
公开日期2013-10-08
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24405]  
专题半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
Zhang, Yanbo,Du, Yandong,Chen, Yankun,et al. Low-Temperature Performance of Accumulation-Mode p-Channel Wrap-Gated FinFETs[J]. journal of nanoscience and nanotechnology,2013,13(2):804-807.
APA Zhang, Yanbo.,Du, Yandong.,Chen, Yankun.,Li, Xiaoming.,Yang, Xiang.,...&Yang, Fuhua.(2013).Low-Temperature Performance of Accumulation-Mode p-Channel Wrap-Gated FinFETs.journal of nanoscience and nanotechnology,13(2),804-807.
MLA Zhang, Yanbo,et al."Low-Temperature Performance of Accumulation-Mode p-Channel Wrap-Gated FinFETs".journal of nanoscience and nanotechnology 13.2(2013):804-807.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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