Low-Temperature Performance of Accumulation-Mode p-Channel Wrap-Gated FinFETs
文献类型:期刊论文
作者 | Zhang, Yanbo ; Du, Yandong ; Chen, Yankun ; Li, Xiaoming ; Yang, Xiang ; Han, Weihua ; Yang, Fuhua |
刊名 | journal of nanoscience and nanotechnology
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出版日期 | 2013 |
卷号 | 13期号:2页码:804-807 |
学科主题 | 微电子学 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2013-10-08 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24405] ![]() |
专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, Yanbo,Du, Yandong,Chen, Yankun,et al. Low-Temperature Performance of Accumulation-Mode p-Channel Wrap-Gated FinFETs[J]. journal of nanoscience and nanotechnology,2013,13(2):804-807. |
APA | Zhang, Yanbo.,Du, Yandong.,Chen, Yankun.,Li, Xiaoming.,Yang, Xiang.,...&Yang, Fuhua.(2013).Low-Temperature Performance of Accumulation-Mode p-Channel Wrap-Gated FinFETs.journal of nanoscience and nanotechnology,13(2),804-807. |
MLA | Zhang, Yanbo,et al."Low-Temperature Performance of Accumulation-Mode p-Channel Wrap-Gated FinFETs".journal of nanoscience and nanotechnology 13.2(2013):804-807. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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