中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
Electrical Characterizations of Planar Ga2O3 Schottky Barrier Diodes

文献类型:期刊论文

作者Zhang, Shiyu;   Liu, Zeng;   Liu, Yuanyuan;   Zhi, Yusong;   Li, Peigang;   Wu, Zhenping;   Tang, Weihua
刊名MICROMACHINES
出版日期2021
卷号12期号:3页码:259
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/31362]  
专题半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
Zhang, Shiyu; Liu, Zeng; Liu, Yuanyuan; Zhi, Yusong; Li, Peigang; Wu, Zhenping; Tang, Weihua. Electrical Characterizations of Planar Ga2O3 Schottky Barrier Diodes[J]. MICROMACHINES,2021,12(3):259.
APA Zhang, Shiyu; Liu, Zeng; Liu, Yuanyuan; Zhi, Yusong; Li, Peigang; Wu, Zhenping; Tang, Weihua.(2021).Electrical Characterizations of Planar Ga2O3 Schottky Barrier Diodes.MICROMACHINES,12(3),259.
MLA Zhang, Shiyu; Liu, Zeng; Liu, Yuanyuan; Zhi, Yusong; Li, Peigang; Wu, Zhenping; Tang, Weihua."Electrical Characterizations of Planar Ga2O3 Schottky Barrier Diodes".MICROMACHINES 12.3(2021):259.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。