一种应力辅助磁存储器件、其制备方法以及磁场写入方法
文献类型：专利
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| 作者 | 谢亚丽; 李润伟; 詹清峰; 刘宜伟; 王保敏 |
| 发表日期 | 2018-11-09 |
| 著作权人 | 李润伟 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 申请日期 | 2014-11-17 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/26815]  |
| 专题 | 专利成果_专利 |
| 作者单位 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢亚丽,李润伟,詹清峰,等. 一种应力辅助磁存储器件、其制备方法以及磁场写入方法, 一种应力辅助磁存储器件、其制备方法以及磁场写入方法, 一种应力辅助磁存储器件、其制备方法以及磁场写入方法, 一种应力辅助磁存储器件、其制备方法以及磁场写入方法, 一种应力辅助磁存储器件、其制备方法以及磁场写入方法, 一种应力辅助磁存储器件、其制备方法以及磁场写入方法, 一种应力辅助磁存储器件、其制备方法以及磁场写入方法, 一种应力辅助磁存储器件、其制备方法以及磁场写入方法. 2018-11-09. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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