ZnO全光控忆阻器及其类突触行为
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨静,卢焕明,叶羽敏,诸葛飞 |
| 刊名 | 材料科学与工程学报
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| 出版日期 | 2021 |
| 卷号 | 39期号:3页码:393-397 |
| 英文摘要 | 本研究基于ZnO制备了一种全光控忆阻器,短波光照射可增大器件电导,长波光则可降低电导,并且电导态可以长时间保持。因此,通过改变施加光信号的波长,可实现忆阻器电导的可逆调控。基于以上特性,该器件可以模拟突触基本功能,包括长程增强与长程抑制、光功率密度依赖可塑性、频率依赖可塑性以及学习-遗忘-再学习的经验学习行为。与电相比,光具有高带宽、低串扰、速度快等优势,并且不改变器件微结构,因此全光控忆阻器有望应用于类脑智能系统的构建。 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/22567]  |
| 专题 | 2021专题_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨静,卢焕明,叶羽敏,诸葛飞. ZnO全光控忆阻器及其类突触行为[J]. 材料科学与工程学报,2021,39(3):393-397. |
| APA | 杨静,卢焕明,叶羽敏,诸葛飞.(2021).ZnO全光控忆阻器及其类突触行为.材料科学与工程学报,39(3),393-397. |
| MLA | 杨静,卢焕明,叶羽敏,诸葛飞."ZnO全光控忆阻器及其类突触行为".材料科学与工程学报 39.3(2021):393-397. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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