CuS/ZnS/ITO透明忆阻器的制备及其突触性能
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈炜东,骆军,曹鸿涛,梁凌燕,张洪亮,张莉,诸葛飞 |
| 刊名 | 材料科学与工程学报
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| 出版日期 | 2021 |
| 卷号 | 39期号:1页码:30-34 |
| 英文摘要 | 忆阻器突触可用于构建神经形态系统,进行类脑计算,而透明突触器件则有利于光电协同调控。本研究首次采用CuS薄膜作为电极,构筑了CuS/ZnS/ITO透明忆阻器,器件表现出稳定的忆阻性能与良好的均一性,在可见光范围内透过率高达82%。通过与Cu制电极的器件比较,采用CuS制电极可以抑制Cu离子向ZnS介质层中大量迁移,有利于提高器件稳定性。在此基础上,通过施加不同形式的电脉冲信号,可以调节忆阻器件的阻态,实现突触可塑性模拟。CuS/ZnS/ITO器件在未来透明神经形态器件领域具有重要的应用价值。 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/22606]  |
| 专题 | 2021专题_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈炜东,骆军,曹鸿涛,梁凌燕,张洪亮,张莉,诸葛飞. CuS/ZnS/ITO透明忆阻器的制备及其突触性能[J]. 材料科学与工程学报,2021,39(1):30-34. |
| APA | 陈炜东,骆军,曹鸿涛,梁凌燕,张洪亮,张莉,诸葛飞.(2021).CuS/ZnS/ITO透明忆阻器的制备及其突触性能.材料科学与工程学报,39(1),30-34. |
| MLA | 陈炜东,骆军,曹鸿涛,梁凌燕,张洪亮,张莉,诸葛飞."CuS/ZnS/ITO透明忆阻器的制备及其突触性能".材料科学与工程学报 39.1(2021):30-34. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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