管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法
文献类型:专利
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作者 | 曾俞衡; 闫宝杰; 叶继春; 廖明墩 |
发表日期 | 2020-11-17 |
著作权人 | 杨熹 |
文献子类 | 发明专利 |
申请日期 | 2019-01-02 |
源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/28332] ![]() |
专题 | 专利成果_专利 |
作者单位 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾俞衡,闫宝杰,叶继春,等. 管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法, 管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法, 管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法, 管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法, 管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法, 管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法, 管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法, 管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法. 2020-11-17. |
入库方式: OAI收割
来源:宁波材料技术与工程研究所
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