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管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法

文献类型:专利

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作者曾俞衡; 闫宝杰; 叶继春; 廖明墩
发表日期2020-11-17
著作权人杨熹
文献子类发明专利
申请日期2019-01-02
源URL[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/28332]  
专题专利成果_专利
作者单位中国科学院宁波材料技术与工程研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
曾俞衡,闫宝杰,叶继春,等. 管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法, 管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法, 管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法, 管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法, 管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法, 管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法, 管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法, 管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法. 2020-11-17.

入库方式: OAI收割

来源:宁波材料技术与工程研究所

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