一种MOS器件漏电流瞬态采样装置
文献类型:专利
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作者 | 乔海,张驰,戴明志,李荣,张杰,陈思鲁,杨桂林 |
发表日期 | 2020-12-11 |
著作权人 | 毛孝凤 |
文献子类 | 实用新型 |
申请日期 | 2020-04-16 |
源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/28445] ![]() |
专题 | 专利成果_专利 |
作者单位 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 乔海,张驰,戴明志,李荣,张杰,陈思鲁,杨桂林. 一种MOS器件漏电流瞬态采样装置, 一种MOS器件漏电流瞬态采样装置, 一种MOS器件漏电流瞬态采样装置, 一种MOS器件漏电流瞬态采样装置, 一种MOS器件漏电流瞬态采样装置, 一种MOS器件漏电流瞬态采样装置, 一种MOS器件漏电流瞬态采样装置, 一种MOS器件漏电流瞬态采样装置. 2020-12-11. |
入库方式: OAI收割
来源:宁波材料技术与工程研究所
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