Tunable magnetism in ferroelectric alpha-In2Se3 by hole-doping
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu, Chang; Wang, Bing; Jia, Guanwei; Liu, Pengyu; Yin, Huabing; Guan, Shan; Cheng, Zhenxiang |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2021 |
| 卷号 | 118期号:7页码:72902 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/31413]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu, Chang; Wang, Bing; Jia, Guanwei; Liu, Pengyu; Yin, Huabing; Guan, Shan; Cheng, Zhenxiang. Tunable magnetism in ferroelectric alpha-In2Se3 by hole-doping[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2021,118(7):72902. |
| APA | Liu, Chang; Wang, Bing; Jia, Guanwei; Liu, Pengyu; Yin, Huabing; Guan, Shan; Cheng, Zhenxiang.(2021).Tunable magnetism in ferroelectric alpha-In2Se3 by hole-doping.APPLIED PHYSICS LETTERS,118(7),72902. |
| MLA | Liu, Chang; Wang, Bing; Jia, Guanwei; Liu, Pengyu; Yin, Huabing; Guan, Shan; Cheng, Zhenxiang."Tunable magnetism in ferroelectric alpha-In2Se3 by hole-doping".APPLIED PHYSICS LETTERS 118.7(2021):72902. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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