中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
The thermal properties of AlGaAs/GaAs laser diode bars analyzed by the transient thermal technique

文献类型:期刊论文

作者Qiao, Yanbin ; Feng, Shiwei ; Xiong, Cong ; Ma, Xiaoyu ; Zhu, Hui ; Guo, Chunsheng ; Wei, Guanghua
刊名solid-state electronics
出版日期2013
卷号79页码:192-195
学科主题光电子学
收录类别SCI
语种英语
公开日期2013-10-10
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24436]  
专题半导体研究所_光电子器件国家工程中心
推荐引用方式
GB/T 7714
Qiao, Yanbin,Feng, Shiwei,Xiong, Cong,et al. The thermal properties of AlGaAs/GaAs laser diode bars analyzed by the transient thermal technique[J]. solid-state electronics,2013,79:192-195.
APA Qiao, Yanbin.,Feng, Shiwei.,Xiong, Cong.,Ma, Xiaoyu.,Zhu, Hui.,...&Wei, Guanghua.(2013).The thermal properties of AlGaAs/GaAs laser diode bars analyzed by the transient thermal technique.solid-state electronics,79,192-195.
MLA Qiao, Yanbin,et al."The thermal properties of AlGaAs/GaAs laser diode bars analyzed by the transient thermal technique".solid-state electronics 79(2013):192-195.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。