Effect of doping on the photoluminescence of multilayer Ge quantum dots deposited on Si(001) substrate
文献类型:期刊论文
作者 | Liu Zhi ; Li Ya-Ming ; Xue Chun-Lai ; Cheng Bu-Wen ; Wang Qi-Ming |
刊名 | acta physica sinica |
出版日期 | 2013 |
卷号 | 62期号:7页码:076108 |
学科主题 | 光电子学 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2013-10-10 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24423] |
专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu Zhi,Li Ya-Ming,Xue Chun-Lai,et al. Effect of doping on the photoluminescence of multilayer Ge quantum dots deposited on Si(001) substrate[J]. acta physica sinica,2013,62(7):076108. |
APA | Liu Zhi,Li Ya-Ming,Xue Chun-Lai,Cheng Bu-Wen,&Wang Qi-Ming.(2013).Effect of doping on the photoluminescence of multilayer Ge quantum dots deposited on Si(001) substrate.acta physica sinica,62(7),076108. |
MLA | Liu Zhi,et al."Effect of doping on the photoluminescence of multilayer Ge quantum dots deposited on Si(001) substrate".acta physica sinica 62.7(2013):076108. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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