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Effect of doping on the photoluminescence of multilayer Ge quantum dots deposited on Si(001) substrate

文献类型:期刊论文

作者Liu Zhi ; Li Ya-Ming ; Xue Chun-Lai ; Cheng Bu-Wen ; Wang Qi-Ming
刊名acta physica sinica
出版日期2013
卷号62期号:7页码:076108
学科主题光电子学
收录类别SCI
语种英语
公开日期2013-10-10
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24423]  
专题半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
Liu Zhi,Li Ya-Ming,Xue Chun-Lai,et al. Effect of doping on the photoluminescence of multilayer Ge quantum dots deposited on Si(001) substrate[J]. acta physica sinica,2013,62(7):076108.
APA Liu Zhi,Li Ya-Ming,Xue Chun-Lai,Cheng Bu-Wen,&Wang Qi-Ming.(2013).Effect of doping on the photoluminescence of multilayer Ge quantum dots deposited on Si(001) substrate.acta physica sinica,62(7),076108.
MLA Liu Zhi,et al."Effect of doping on the photoluminescence of multilayer Ge quantum dots deposited on Si(001) substrate".acta physica sinica 62.7(2013):076108.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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