Room temperature direct-bandgap electroluminescence from n-type strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu, Zhi ; Hu, Weixuan ; Li, Chong ; Li, Yaming ; Xue, Chunlai ; Li, Chuanbo ; Zuo, Yuhua ; Cheng, Buwen ; Wang, Qiming |
| 刊名 | applied physics letters
 |
| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 101期号:23页码:231108 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-10-10 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24445]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu, Zhi,Hu, Weixuan,Li, Chong,et al. Room temperature direct-bandgap electroluminescence from n-type strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells[J]. applied physics letters,2013,101(23):231108. |
| APA | Liu, Zhi.,Hu, Weixuan.,Li, Chong.,Li, Yaming.,Xue, Chunlai.,...&Wang, Qiming.(2013).Room temperature direct-bandgap electroluminescence from n-type strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells.applied physics letters,101(23),231108. |
| MLA | Liu, Zhi,et al."Room temperature direct-bandgap electroluminescence from n-type strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells".applied physics letters 101.23(2013):231108. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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