InGaAs/InP 单光子雪崩光电二极管阵列器件设计与制备
文献类型：学位论文
| 作者 | 郭可飞 |
| 答辩日期 | 2023 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院大学 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 王兴 |
| 关键词 | 单光子探测 单光子雪崩光电二极管阵列 InGaAs/InP Zn 扩散 雪崩击穿概率 |
| 学科主题 | 电子物理学 |
| 语种 | 中文 |
| 页码 | 86 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/96607]  |
| 专题 | 西安光学精密机械研究所_研究生部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭可飞. InGaAs/InP 单光子雪崩光电二极管阵列器件设计与制备[D]. 北京. 中国科学院大学. 2023. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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