一种在硅片表面生长硫化镉纳米线阵列的方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘静 ; 伊福廷; 王波; 张天冲; 梁小筱; 颜铭铭; 徐源泽
|
| 发表日期 | 2020 |
| 专利号 | CN111217320 |
| 著作权人 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种在硅片表面生长硫化镉纳米线阵列的方法，其步骤包括：1)在硅片表面制备硅金字塔结构，然后在所述硅金字塔表面上制备硫化镉种子层；其中，硅金字塔结构用于增加硅表面与硫化镉种子层的粘附性；2)用水热法在硫化镉种子层上生长硫化镉纳米线，得到硫化镉纳米线阵列；3)用去离子水对步骤2)得到的硫化镉纳米线阵列进行漂洗、晾干。本发明首次通过引入金字塔结构，结合水热生长法，在硅片表面实现硫化镉纳米线的生长；金字塔的引入，增加了硅表面与硫化镉种子层的粘附性，相对于在硅片表面引入硅柱结构来说，方法简单，成本低，易于操作。 |
| 公开日期 | 2020 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298281]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 中国科学院高能物理研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘静,伊福廷,王波,等. 一种在硅片表面生长硫化镉纳米线阵列的方法. CN111217320. 2020-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。