一种AZO材料纳米电阻薄膜及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 王玉漫; 刘术林 ; 闫保军; 张斌婷; 谷建雨; 姚文静
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| 发表日期 | 2021 |
| 专利号 | CN112663023 |
| 著作权人 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种AZO材料纳米电阻薄膜及其制备方法，属于器件材料领域，10 4 ～10 10 Ω*cm的纳米电阻薄膜在微通道板，单通道电子倍增，漂移管，电荷消散排放等领域有着广泛的应用，但AZO材料在此电阻率区间时Zn含量区间(70％～73％)很窄而难以调控。通过如下步骤：1)将器件基底放入反应腔室进行抽真空，并对反应腔室进行加热并保持温度；2)设定Al 2 O 3 和ZnO的原子层沉积工艺；3)运用大循环嵌套小循环的方式设定掺杂工艺的Al 2 O 3 和ZnO的原子层排列顺序进行生长；4)设定反应腔室温度对薄膜进行退火处理。在此工艺上AZO材料可在10 ‑1 ～10 10 Ω*cm区间去调控优化薄膜。 |
| 公开日期 | 2021 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298190]  |
| 专题 | 高能物理研究所_东莞分部 高能物理研究所_实验物理中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王玉漫,刘术林,闫保军,等. 一种AZO材料纳米电阻薄膜及其制备方法. CN112663023. 2021-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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