一种高二次电子发射系数薄膜及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 王玉漫; 刘术林 ; 闫保军; 温凯乐; 张斌婷; 谷建雨; 姚文静
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| 发表日期 | 2021 |
| 专利号 | CN112593206 |
| 著作权人 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种高二次电子发射系数薄膜及其制备方法，属于器件材料领域，包括如下步骤：1)首先将已获得需要电导率的衬底层放入原子层沉积设备中的反应腔室；2)先生长Al 2 O 3 缓冲层，所述缓冲层的厚度大于或等于2nm，小于或等于2.5nm；3)然后生长MgO主体层，所述主体层厚度为6～15nm；4)最后生长Al 2 O 3 保护层，所述保护层的厚度小于或等于1.0nm，大于或等于0.3nm。电子放大器件增益与薄膜的二次发射系数的高低有密切的关系，薄膜厚度如果较薄二次发射系数偏低导致增益偏低，如果较厚虽然二次发射系数变高但电导层不能及时补充电子导致增益降低。本发明通过控制Al 2 O 3 缓冲层和保护层Al 2 O 3 的厚度，从而使薄膜厚度适中且长期维持较高的二次电子发射系数。 |
| 公开日期 | 2021 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298194]  |
| 专题 | 高能物理研究所_东莞分部 高能物理研究所_实验物理中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王玉漫,刘术林,闫保军,等. 一种高二次电子发射系数薄膜及其制备方法. CN112593206. 2021-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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