一种高二次电子发射系数的双层薄膜及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 闫保军 ; 王玉漫; 刘术林; 温凯乐; 张斌婷; 谷建雨; 姚文静
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| 发表日期 | 2021 |
| 专利号 | CN112575311 |
| 著作权人 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种高二次电子发射系数的双层薄膜及其制备方法，属于器件材料领域，电子倍增器件增益与薄膜的二次发射系数的高低有密切的关系，薄膜厚度如果较薄二次发射系数偏低导致增益偏低，如果较厚虽然二次发射系数变高但电导层不能及时补充电子导致增益降低。因此薄膜制备厚度在5nm～15nm之间较合适。本发明通过原子层沉积技术先生长的主体层(Al 2 O 3 或ZnO或AZO)，厚度为二次电子发射系数(SEE)值饱和或近饱和的厚度，再生长提升层(MgO)。要求主体层的禁带宽度小于提升层材料的禁带宽度，当双层薄膜二次电子发射(SEE)系数饱和时双层薄膜的总厚度适用于电子倍增器件的要求。 |
| 公开日期 | 2021 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298199]  |
| 专题 | 高能物理研究所_实验物理中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 闫保军,王玉漫,刘术林,等. 一种高二次电子发射系数的双层薄膜及其制备方法. CN112575311. 2021-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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