一种测量介质材料二次电子发射系数的方法
文献类型：专利
| 作者 | 温凯乐; 刘术林 ; 闫保军; 王玉漫
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| 发表日期 | 2019 |
| 专利号 | CN110146529 |
| 著作权人 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种测量介质材料二次电子发射系数的方法，其步骤包括：1)将待测介质材料放置在金属样品台上；将金属样品台、栅网、收集极的输出端口与采集装置输入端口连接，且金属样品台、栅网所施加电压与电子枪出射口电压相同，收集极电位高于金属样品台电位；2)调整电子枪参数，使电子束斑的照射金属样品台表面，并持续照射设定时间；3)将电子枪出射的电子能量调节至需要测试的能量，将初级电子束的照射位置调节至介质材料表面，使电子枪发射脉冲电子束，测量并计算金属样品台、栅网、收集极各通路脉冲电流I 1 、I 2 、I 3 ；通过公式δ＝(I 2 +I 3 )/(I 1 +I 2 +I 3 )计算当前电子入射能量下介质材料的二次电子发射系数δ。 |
| 公开日期 | 2019 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298350]  |
| 专题 | 高能物理研究所_实验物理中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 温凯乐,刘术林,闫保军,等. 一种测量介质材料二次电子发射系数的方法. CN110146529. 2019-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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