多层网涂硼厚GEM中子探测器
文献类型：专利
| 作者 | 谢宇广 ; 吕军光; 李更兰
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| 发表日期 | 2018 |
| 专利号 | CN108037524 |
| 著作权人 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本申请公开了一种多层网涂硼厚GEM中子探测器，包括平行且并排设置的漂移电极和读出电极，漂移电极和读出电极之间平行设置有中子转换体；其中，中子转换体包括至少一层金属网，金属网的表面涂硼，且漂移电极面向读出电极的表面涂硼；中子转换体与漂移电极之间平行设置有厚型气体电子倍增器。本发明的多层网涂硼厚GEM中子探测器将转换区和倍增区分开，转换区可基于多个涂硼的金属网基底可大大提高中子探测效率，不会浪费昂贵的硼10材料，且倍增区的厚GEM耐用，增益容易控制。 |
| 公开日期 | 2018 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298495]  |
| 专题 | 高能物理研究所_实验物理中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢宇广,吕军光,李更兰. 多层网涂硼厚GEM中子探测器. CN108037524. 2018-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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