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一种强磁场高梯度超导磁体装置

文献类型:专利

作者姚卫超; 朱自安; 张国庆; 汪小明; 赵京伟; 常哲; 吴泽; 杨应彬
发表日期2015
专利号CN105097179
著作权人中国科学院高能物理研究所 ; 广州金南磁塑有限公司
文献子类发明专利
英文摘要本发明公开了一种强磁场高梯度超导磁体装置,包括金属外壳和电磁结构,所述金属外壳内部围设有容置空间,在所述容置空间的中部设置有通道,所述通道包括入口和出口;所述电磁结构封闭设置在所述容置空间内并处于低温超导环境中,所述通道穿过所述电磁结构的中心,所述电磁结构为超导电磁结构,且提供沿所述通道轴向上依次排布的第一磁场和第二磁场,所述第一磁场和所述第二磁场磁力方向相反。本发明的电磁结构能够同时提供磁力方向相反的两磁场,在保证强磁场的同时由于两相反方向磁场的相互抵消还能够提供非常高的磁场梯度。
公开日期2015
源URL[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298684]  
专题高能物理研究所_实验物理中心
高能物理研究所_加速器中心
作者单位中国科学院高能物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
姚卫超,朱自安,张国庆,等. 一种强磁场高梯度超导磁体装置. CN105097179. 2015-01-01.

入库方式: OAI收割

来源:高能物理研究所

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