一种散裂中子源用固体靶片及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 纪全 ; 魏少红; 张锐强; 贾学军
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| 发表日期 | 2015 |
| 专利号 | CN104470189 |
| 著作权人 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种散裂中子源用固体靶片及其制备方法，用以增强靶片中钽和钨的连接强度，提高靶片的寿命。其中，一种散裂中子源用固体靶片的制备方法，包括：清洗待焊接的钨块与钽板；将所述钽板紧贴所述钨块的六个面，形成内装钨块的钽盒；密封焊接所述钽盒；将密封焊接后的钽盒放入热等静压炉内进行热等静压后取出，得到靶片。本发明提供的散裂中子源用固体靶片的制备方法不引入其它过渡金属，直接大面积扩散连接钽板与钨块，使制得的靶片中钽钨之间达到冶金结合，结合强度高，钽涂层致密，增强了靶片的抗冲刷腐蚀性能，提高了靶片寿命。 |
| 公开日期 | 2015 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298721]  |
| 专题 | 高能物理研究所_实验物理中心 高能物理研究所_东莞分部 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 纪全,魏少红,张锐强,等. 一种散裂中子源用固体靶片及其制备方法. CN104470189. 2015-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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