一种大面积厚GEM的制作工艺
文献类型：专利
| 作者 | 谢宇广 ; 吴军权; 吕军光; 陈春; 武守坤; 林映生; 唐宏华
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| 发表日期 | 2015 |
| 专利号 | CN104465266 |
| 著作权人 | 惠州市金百泽电路科技有限公司 ; 中国科学院高能物理研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种大面积厚GEM的制作工艺，包括阻焊层覆盖、激光开窗、绝缘环加工、通孔成型和阻焊层消褪处理等步骤，采用激光钻孔方式，激光钻孔开窗和激光钻孔通孔成型的双重定位技术进行厚GEM的加工。本发明大面积厚GEM的制作工艺具有成本低、加工精度高和生产效率高等特点。 |
| 公开日期 | 2015 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298722]  |
| 专题 | 高能物理研究所_实验物理中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢宇广,吴军权,吕军光,等. 一种大面积厚GEM的制作工艺. CN104465266. 2015-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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