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基于直流磁控溅射方法的狭缝镀膜装置

文献类型:专利

作者马永胜; 孙飞; 黄涛; 刘佰奇; 郭迪舟; 何平; 董海义
发表日期2021
专利号CN212770928U
著作权人中国科学院高能物理研究所
文献子类实用新型
英文摘要本申请提出一种基于直流磁控溅射方法的狭缝镀膜装置,包括法兰、阴极丝、阴极丝固定结构,其中,法兰的个数为两个,两个法兰平行放置,用于固定待镀膜的真空管,阴极丝固定在真空管的中心位置,阴极丝固定结构设置在阴极丝上,用于固定阴极丝;其中,阴极丝上每间隔预设距离设置一个阴极丝固定结构。由此,采用阴极丝固定结构将阴极丝稳定固定,以保证阴极丝处于拉直且不短路的状态,实现了在真空管内壁进行镀膜过程中等离子体辉光放电时阴极丝处于拉紧状态且不会被拉断,解决了现有技术中对于6mm以下尺寸的狭缝真空管进行镀膜时,出现阴极丝与真空管之间短路、阴极丝断裂等现象影响对真空管进行镀膜的技术问题,从而保证了镀膜能够正常进行。
公开日期2021
源URL[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/297857]  
专题高能物理研究所_加速器中心
作者单位中国科学院高能物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
马永胜,孙飞,黄涛,等. 基于直流磁控溅射方法的狭缝镀膜装置. CN212770928U. 2021-01-01.

入库方式: OAI收割

来源:高能物理研究所

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