一种超导腔用低温磁场补偿系统
文献类型：专利
| 作者 | 米正辉 ; 沙鹏; 贺斐思; 翟纪元
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| 发表日期 | 2020 |
| 专利号 | CN211505846U |
| 著作权人 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 英文摘要 | 本实用新型公开了一种超导腔用低温磁场补偿系统，包括磁屏蔽筒体和测试吊架，所述测试吊架用于连接超导腔，将所述超导腔固定在所述磁屏蔽筒体内；其特征在于，还包括一励磁系统；所述励磁系统用于安装在所述超导腔上，对地磁场和超导腔工装设备的剩磁进行抵消或补偿。本系统能够降低超导腔区域的环境磁场，并可以实现超导腔磁场环境的灵活设置，进行超导腔的性能提升实验研究。 |
| 公开日期 | 2020 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/297890]  |
| 专题 | 高能物理研究所_加速器中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 米正辉,沙鹏,贺斐思,等. 一种超导腔用低温磁场补偿系统. CN211505846U. 2020-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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