一种用于真空磁控溅射镀膜的样片腔装置及镀膜参数优化系统
文献类型：专利
| 作者 | 杨馥羽; 李中泉 ; 张沛
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| 发表日期 | 2020 |
| 专利号 | CN210104061U |
| 著作权人 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 英文摘要 | 本实用新型公开了一种用于真空磁控溅射镀膜的样片腔装置及镀膜参数优化系统。本实用新型的样片腔装置，其特征在于，包括样片腔和多个铜样片，所述样片腔与目标铜腔的形状和尺寸相同；各所述铜样片分别固定在所述样片腔内设定关注的部位。本实用新型首先将样片腔装置放置于真空腔室内，采用磁控溅射镀膜方法在样片腔装置上镀铌；然后根据固定在所述样片腔装置内的铜样片镀膜确定目标铜腔内表面各位置处对应的镀膜信息，再结合所述镀膜信息优化镀膜参数。本实用新型通过该样片腔装置进行镀膜实验并对样片进行表征分析，能够优化各个位置处的镀膜参数，为后续整个目标铜腔基底的镀膜提供经验指导。 |
| 公开日期 | 2020 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/297918]  |
| 专题 | 高能物理研究所_加速器中心 高能同步辐射光源 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨馥羽,李中泉,张沛. 一种用于真空磁控溅射镀膜的样片腔装置及镀膜参数优化系统. CN210104061U. 2020-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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