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一种低阻抗束流位置探测器及其制作方法

文献类型:专利

作者王安鑫; 田塞克; 聂小军; 随艳峰; 何俊; 刘磊; 朱东辉; 陈佳鑫; 贺华艳; 余洁冰
发表日期2020
专利号CN111812702
著作权人中国科学院高能物理研究所 ; 散裂中子源科学中心
文献子类发明专利
英文摘要本发明公开一种低阻抗束流位置探测器及其制作方法,探测器包括接触指、主腔筒、波纹管和C型弹簧,主腔筒的两端分别设有接触指,各接触指和主腔筒的相接处外周分别设有波纹管,接触指的外侧与波纹管的内侧之间设有弹簧安装槽,弹簧安装槽内设置C型弹簧。其制作方法主要包括仿真模拟分析、零件加工、装配成型和性能检测。本发明是在传统双指型屏蔽结构的基础上进行改进和优化,可实现不规则内腔光滑平稳过渡和优秀的高频导电性能,有效减小高次模泄露,降低阻抗。
公开日期2020
源URL[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298234]  
专题高能物理研究所_东莞分部
高能物理研究所_加速器中心
作者单位中国科学院高能物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
王安鑫,田塞克,聂小军,等. 一种低阻抗束流位置探测器及其制作方法. CN111812702. 2020-01-01.

入库方式: OAI收割

来源:高能物理研究所

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