高功率下功率耦合器与高频腔之间的耦合度测量方法
文献类型：专利
| 作者 | 王云 ; 刘华昌; 戴建枰; 李阿红; 吴小磊; 李波; 陈强; 樊梦旭; 瞿培华; 谢哲新
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| 发表日期 | 2020 |
| 专利号 | CN111044834 |
| 著作权人 | 散裂中子源科学中心 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开一种高功率下功率耦合器与高频腔之间的耦合度测量方法，先在耦合孔处发生全反射的情况下测量定向耦合器的反射功率和前向功率，并计算从功率计位置至耦合孔处功率的衰减系数；然后在耦合孔处反射功率最小的情况下测量定向耦合器的前向功率和反射功率，并采集高频腔的场幅衰减曲线和相位角衰减曲线，计算出高频腔入口反射系数的幅度值；最后计算高功率下功率耦合器与高频腔之间的耦合度。本发明可实现在高功率下实时测量和计算功率耦合器与高频腔之间的耦合度，便于用户监测耦合度的变化，也便于后续评估高频腔长时间运行后耦合度的偏移量等参数。 |
| 公开日期 | 2020 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298297]  |
| 专题 | 高能物理研究所_东莞分部 高能物理研究所_加速器中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王云,刘华昌,戴建枰,等. 高功率下功率耦合器与高频腔之间的耦合度测量方法. CN111044834. 2020-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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