一种高通量的单色晶体及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 洪振 ; 刁千顺; 张小威; 袁清习; 盛伟繁; 石泓; 郑黎荣; 姜永诚; 刘旭
|
| 发表日期 | 2018 |
| 专利号 | CN108707968 |
| 著作权人 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种高通量的单色晶体及其制备方法。本发明的单色晶体的材料为不完美单晶硅，其制备方法为：将选取的太阳能级单晶硅加工为channel‑cut型的晶体；或者选取两完美单晶硅，并对其表面进行离子注入，分别在每一完美单晶硅的表面形成一具有μm量级离子注入层，将两块晶体以平行的方式放置，其中所述离子注入层为单色晶体工作面。本发明首次将不完美单晶硅应用于同步辐射领域；本发明利用不完美单晶硅制备出高通量的单色晶体，为单色器的材料选择提供一种新的思路。 |
| 公开日期 | 2018 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298445]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 高能物理研究所_加速器中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 洪振,刁千顺,张小威,等. 一种高通量的单色晶体及其制备方法. CN108707968. 2018-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。