一种光电器件脉冲宽度调制方法及外置淬灭辅助电路
文献类型：专利
| 作者 | 杨明洁 ; 张寿山
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| 发表日期 | 2021 |
| 专利号 | CN113676165 |
| 著作权人 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种光电器件脉冲宽度调制方法及外置淬灭辅助电路。本方法为：1)在光电器件的工作读出电路上添加外置灭辅助电路；2)所述外置淬灭辅助电路判断所述光电器件是否产生有效脉冲信号，当产生有效脉冲信号时产生一个逻辑高电平信号，经过一定延迟时间t integral 后，该逻辑高电平信号切断所述光电器件阳极偏置电压和阴极脉冲输出通道，并将所述光电器件的阴阳极共地短接；然后所述外置淬灭辅助电路输出一逻辑低电平信号，恢复所述光电器件的正常工作。本发明从SiPM内部工作物理过程上缩短SiPM的淬灭恢复时间，进一步调制缩短SiPM输出脉冲宽度。 |
| 公开日期 | 2021 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298101]  |
| 专题 | 高能物理研究所_粒子天体物理中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨明洁,张寿山. 一种光电器件脉冲宽度调制方法及外置淬灭辅助电路. CN113676165. 2021-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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