一种4H-SiC像素肖特基辐射探测器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 梁晓华 ; 夏晓川; 韩冲; 梁红伟; 崔兴柱
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| 发表日期 | 2019 |
| 专利号 | CN110265500 |
| 著作权人 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种4H‑SiC像素肖特基辐射探测器及其制备方法。本发明的探测器，其特征在于，包括一像素阵列，其中该像素阵列中每个像素单元的结构自下而上依次为欧姆接触、SiC衬底、SiC外延层以及肖特基接触。其中每个像素单元会同时测量粒子的能量、到达每一个像素单元的时间以及单位时间内所探测到的粒子数等信息，根据这些数据之间的差异，所设计的结构实现一定的位置分辨能力。而且相较于传统单元SiC辐射探测器，所设计的像素辐射探测器，当其中某个像素单元出现损坏时并不影响整个探测器继续工作。 |
| 公开日期 | 2019 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298344]  |
| 专题 | 高能物理研究所_粒子天体物理中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁晓华,夏晓川,韩冲,等. 一种4H-SiC像素肖特基辐射探测器及其制备方法. CN110265500. 2019-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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