一种氮化镓位置灵敏辐射探测器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 夏晓川; 崔兴柱 ; 梁红伟; 梁晓华; 刘雅清
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| 发表日期 | 2017 |
| 专利号 | CN107093643 |
| 著作权人 | 大连理工大学 ; 中国科学院高能物理研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种氮化镓位置灵敏辐射探测器及其制备方法，属于半导体器件制备技术领域。探测器以半绝缘氮化镓单晶为衬底，其上依次生长n型氮化镓层、InGaN插入层、高阻氮化镓探测灵敏区、图形化p型氮化镓层和绝缘介质保护层；其中，InGaN插入层的宽度小于n型氮化镓层的宽度，InGaN插入层和高阻氮化镓探测灵敏区的宽度相同；多个图形化p型氮化镓层间隔排布在高阻氮化镓探测灵敏区上，图形化p型氮化镓层上制备上欧姆接触电极，n型氮化镓层上未被覆盖区域制备下欧姆接触电极；图形化p型氮化镓层外部为绝缘介质保护层。本发明解决了高性能氮化镓位置灵敏辐射探测器的制备难题，实现新型氮化镓位置灵敏辐射探测器的研制。 |
| 公开日期 | 2017 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298543]  |
| 专题 | 高能物理研究所_粒子天体物理中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 夏晓川,崔兴柱,梁红伟,等. 一种氮化镓位置灵敏辐射探测器及其制备方法. CN107093643. 2017-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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