硅光电倍增管的增益控制装置、系统及增益控制方法
文献类型:专利
作者 | 李正伟![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2015 |
专利号 | CN104570043 |
著作权人 | 中国科学院高能物理研究所 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明涉及硅光电倍增管的增益控制装置、系统及增益控制方法。该增益控制装置用于控制与其串联连接的硅光电倍增管的增益,包括串联连接的可控电压源和至少一个稳压二极管,可控电压源包括至少一个输入端子,稳压二极管工作于击穿状态,并且其等效温度系数与硅光电倍增管的温度系数相同,通过调节可控电压源的输入端子上的电压而控制硅光电倍增管的增益。本发明技术方案简单,使用元器件较少,只需使用模拟器件即可实现温度补偿,避免温度传感器以及相应的数字处理单元以及相应的反馈系统,增加了系统的可靠性。 |
公开日期 | 2015 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298709] ![]() |
专题 | 高能物理研究所_粒子天体物理中心 高能物理研究所_多学科研究中心 |
作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李正伟,徐玉朋,刘聪展,等. 硅光电倍增管的增益控制装置、系统及增益控制方法. CN104570043. 2015-01-01. |
入库方式: OAI收割
来源:高能物理研究所
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