稳定同位素13C骨架标记石墨和氧化石墨烯及其制备方法和氧化石墨烯的应用
文献类型：专利
| 作者 | 常雪灵 ; 董金泉; 陈凌云
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| 发表日期 | 2021 |
| 专利号 | CN113023722 |
| 著作权人 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明提供稳定同位素 13 C骨架标记的石墨以及稳定同位素 13 C骨架标记的氧化石墨烯及其制备方法和稳定同位素 13 C骨架标记的氧化石墨烯的应用。本发明提供的稳定同位素 13 C骨架标记石墨的制备方法包括如下步骤：(i)将石墨电极沿电极轴向钻孔，在孔中装填 13 C无定形碳粉末；(ii)将步骤(i)中装填有 13 C无定形碳粉末的石墨电极装入直流电弧放电反应炉中，作为放电阳极；(iii)在真空条件下，在氢气和氦气存在下，将放电阴极与放电阳极相接触，电弧烧蚀步骤(ii)所述放电阳极；(vi)收集放电阴极上的沉积物，将收集到的沉积物粉碎。本发明的氧化石墨烯，可用于同位素示踪与定量研究。 |
| 公开日期 | 2021 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298162]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 常雪灵,董金泉,陈凌云. 稳定同位素13C骨架标记石墨和氧化石墨烯及其制备方法和氧化石墨烯的应用. CN113023722. 2021-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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