积分型像素阵列探测器的刻度方法、装置、介质及设备
文献类型：专利
| 作者 | 周杨帆; 谢亮; 李秋菊 ; 刘鹏; 李贞杰; 丁叶
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| 发表日期 | 2021 |
| 专利号 | CN112188127 |
| 著作权人 | 中国科学院高能物理研究所 ; 湘潭芯力特电子科技有限公司 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本公开实施例提供了一种积分型像素阵列探测器的刻度方法、装置、介质及设备，包括：当积分电路仅接入第一积分电容时，获取在无光照下像素的第一输出失调电压，以及在光照条件下像素的第一光强响应曲线，从而获得第一光强响应曲线的斜率；当积分电路接入所述第一积分电容和第二积分电容时，获取在无光照下像素的第二输出失调电压，以及在光照条件下像素的第二光强响应曲线，从而获得第二光强响应曲线的斜率；根据所述第一输出失调电压、所述第二输出失调电压、所述第一光强响应曲线的斜率、所述第二光强响应曲线的斜率确定传感器暗电流在积分电容上累积的电荷量Q dark ；通过暗电流修调电路从所述积分电路抽取电荷量Q dark ，从而消除传感器暗电流引起的失调。 |
| 公开日期 | 2021 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298218]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周杨帆,谢亮,李秋菊,等. 积分型像素阵列探测器的刻度方法、装置、介质及设备. CN112188127. 2021-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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