一种荧光扫描纳米丝及其设计制备方法
文献类型:专利
作者 | 岳帅鹏![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2019 |
专利号 | CN110320225 |
著作权人 | 中国科学院高能物理研究所 ; 同济大学 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种荧光扫描纳米丝及其设计制备方法。本发明的荧光扫描纳米丝,其特征在于,包括基底、荧光薄膜和保护层,其中该基底上依次为所述荧光薄膜、所述保护层;所述保护层用于屏蔽X射线,保护荧光薄膜与所述保护层接触的上表面不被X射线照射到。本发明可以在纳米级聚焦光斑的测量中更容易的调节荧光扫描纳米丝和聚焦元件的相对位置及姿态,降低了纳米级光斑的测量难度;而且可以解决传统荧光扫描纳米丝在制备、安装及纳米级聚焦光斑测试过程中易损坏等问题。 |
公开日期 | 2019 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298342] ![]() |
专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 岳帅鹏,常广才,周亮,等. 一种荧光扫描纳米丝及其设计制备方法. CN110320225. 2019-01-01. |
入库方式: OAI收割
来源:高能物理研究所
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