光栅及其制备方法
文献类型:专利
作者 | 王雨婷; 伊福廷![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2018 |
专利号 | CN108469644 |
著作权人 | 中国科学院高能物理研究所 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明提供了一种光栅及其制备方法,其中,该方法包括:对第一衬底进行第一处理,得到带有预定结构的第一金制图形,进而得到中间掩膜板;在第二衬底上制备纳米柱阵列,并采用该中间掩膜板对所述纳米柱阵列进行第二处理,得到带有预定结构的第二金制图形,进而得到最终掩膜板;以及采用所述最终掩膜板对PMMA片进行第三处理,得到正弦型位相光栅。本发明的制备方法简单,且能够制备得到表面形貌较为复杂的光栅。 |
公开日期 | 2018 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298463] ![]() |
专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王雨婷,伊福廷,王波,等. 光栅及其制备方法. CN108469644. 2018-01-01. |
入库方式: OAI收割
来源:高能物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。