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一种强电离辐射环境下的温度测量方法及系统

文献类型:专利

作者杨俊亮; 张小威; 赵越; 朱晔; 李瑭
发表日期2018
专利号CN108387327
著作权人中国科学院高能物理研究所
文献子类发明专利
英文摘要本发明公开了一种强电离辐射环境下的温度测量方法及系统。本方法为根据待测晶体的晶格长的变化计算得到该待测晶体的温度变化;具体而言,选取或制备一波长选择器,该波长选择器仅允许通过某一确定波长λ的光束,将一束光入射到该待测晶体表面,该波长选择器用于接收入射光束经该待测晶体表面产生的波长为λ的衍射光束,并记录衍射光束强度I;当I值发生变化时,改变该待测晶体与入射光束之间的入射角度,当接收的衍射光束强度为I时,记录角度变化量为Δθ;然后根据Δθ与该待测晶体的温度值变化关系得到温度变化。本发明既解决了强电离辐射环境下温度测量问题,同时也精确测得了强电离辐射环境下晶体表面的温度值。
公开日期2018
源URL[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298474]  
专题高能物理研究所_多学科研究中心
作者单位中国科学院高能物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
杨俊亮,张小威,赵越,等. 一种强电离辐射环境下的温度测量方法及系统. CN108387327. 2018-01-01.

入库方式: OAI收割

来源:高能物理研究所

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