一种可抑制RFQ腔体频漂的水冷结构
文献类型:专利
作者 | 欧阳华甫![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2021 |
专利号 | CN214800003U |
著作权人 | 散裂中子源科学中心 ; 中国科学院高能物理研究所 |
文献子类 | 实用新型 |
英文摘要 | 本实用新型涉及一种加速器技术领域,尤指一种能实现无频率漂移的可抑制RFQ腔体频漂的水冷结构;所述的水冷结构包括设置在RFQ腔体上的基础孔一、基础孔二和可变孔;本实用新型通过优化RFQ截面上水孔的布局实现RFQ腔体内无频漂,更具体的是确定RFQ腔体的功耗,确定的工作温度,确定的水流量,就可以确定基础孔一和基础孔二的位置,通过优化可变孔的位置,实现腔体的无频漂,结果准确可靠,方法简单易行。 |
公开日期 | 2021 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/297829] ![]() |
专题 | 高能物理研究所_东莞分部 |
作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 欧阳华甫,吕永佳,刘盛进,等. 一种可抑制RFQ腔体频漂的水冷结构. CN214800003U. 2021-01-01. |
入库方式: OAI收割
来源:高能物理研究所
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