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一种可抑制RFQ腔体频漂的水冷结构

文献类型:专利

作者欧阳华甫; 吕永佳; 刘盛进; 肖永川; 曹秀霞; 薛康佳
发表日期2021
专利号CN214800003U
著作权人散裂中子源科学中心 ; 中国科学院高能物理研究所
文献子类实用新型
英文摘要本实用新型涉及一种加速器技术领域,尤指一种能实现无频率漂移的可抑制RFQ腔体频漂的水冷结构;所述的水冷结构包括设置在RFQ腔体上的基础孔一、基础孔二和可变孔;本实用新型通过优化RFQ截面上水孔的布局实现RFQ腔体内无频漂,更具体的是确定RFQ腔体的功耗,确定的工作温度,确定的水流量,就可以确定基础孔一和基础孔二的位置,通过优化可变孔的位置,实现腔体的无频漂,结果准确可靠,方法简单易行。
公开日期2021
源URL[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/297829]  
专题高能物理研究所_东莞分部
作者单位中国科学院高能物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
欧阳华甫,吕永佳,刘盛进,等. 一种可抑制RFQ腔体频漂的水冷结构. CN214800003U. 2021-01-01.

入库方式: OAI收割

来源:高能物理研究所

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