一种应用于高分辨中子成像探测器的GOS：Tb透明陶瓷闪烁屏及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 李江; 周健荣 ; 孙志嘉; 潘宏明; 丁继扬; 陈昊鸿; 谢腾飞; 陈元柏; 蒋兴奋; 周晓娟
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| 发表日期 | 2021 |
| 专利号 | CN113340925 |
| 著作权人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 ; 散裂中子源科学中心 ; 中国科学院高能物理研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 一种应用于高分辨中子成像探测器的GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏及其制备方法。该GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏包括：基底、反射层薄膜以及厚度为微米级别的GOS:Tb透明陶瓷。本申请通过将GOS:Tb透明陶瓷封装在镀有反射层薄膜的刚性基底上，制得所述GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏。该GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏具有厚度薄、透明度高、形成闪烁体光斑小的特点，将其应用在中子成像探测器时，能在保证高分辨的前提下有效提高光产额，进而提高中子成像的空间分辨率。 |
| 公开日期 | 2021 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298131]  |
| 专题 | 高能物理研究所_东莞分部 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李江,周健荣,孙志嘉,等. 一种应用于高分辨中子成像探测器的GOS：Tb透明陶瓷闪烁屏及其制备方法. CN113340925. 2021-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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