一种基于陶瓷GEM膜的密闭中子探测器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 周健荣 ; 孙志嘉; 周晓娟; 陈元柏; 周建晋; 朱林; 许虹; 王艳凤
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| 发表日期 | 2021 |
| 专利号 | CN112987078 |
| 著作权人 | 散裂中子源科学中心 ; 中国科学院高能物理研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 一种基于陶瓷GEM膜的密闭中子探测器及其制作方法，密闭中子探测器包括密闭的工作气室，在该工作气室内由下至上依次设置二维读出板、GEM层以及涂硼漂移极。其中GEM层包括两层耐高温陶瓷GEM膜，二维读出板由耐高温陶瓷绝缘薄膜制作而成。本申请采用两层耐高温陶瓷GEM膜，可以有效对电离电子进行雪崩放大，提高增益比，使所制作出的中子探测器具有良好的探测性能；同时，本申请利用陶瓷几乎不含氢元素、杂质气体少和耐高温等特点，使得制作出的中子探测器一方面对中子的散射吸收小，另一方面无需外接供气系统，可以形成密闭环境，减少外界环境对中子探测器性能的影响，同时可以节省成本，并且可以应用到一些恶劣场景如真空环境中。 |
| 公开日期 | 2021 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298167]  |
| 专题 | 高能物理研究所_东莞分部 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周健荣,孙志嘉,周晓娟,等. 一种基于陶瓷GEM膜的密闭中子探测器及其制作方法. CN112987078. 2021-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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