单能中子选择器狭缝包及其中子选择结构
文献类型：专利
| 作者 | 王平; 蔡伟亮 ; 耿艳胜; 张清
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| 发表日期 | 2021 |
| 专利号 | CN112837841 |
| 著作权人 | 散裂中子源科学中心 ; 中国科学院高能物理研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明涉及单能中子选择器技术领域，尤其涉及单能中子选择器狭缝包及其中子选择结构。本发明的单能中子选择器狭缝包及其中子选择结构，包括两个成型夹板和位于两个成型夹板之间的通道层和吸收层，多个通道层和吸收层交替层叠连接；所述吸收层为Gd‑20Zr合金箔材或铝基碳化硼片，通道层为6061或7075高强度铝合金。本发明的单能中子选择器狭缝包及其中子选择结构，强度高、结构稳定，可高速旋转且使得中子具有良好的通过性。 |
| 公开日期 | 2021 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298183]  |
| 专题 | 高能物理研究所_东莞分部 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王平,蔡伟亮,耿艳胜,等. 单能中子选择器狭缝包及其中子选择结构. CN112837841. 2021-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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