硅掺杂铁基聚阴离子化合物及其制备方法和应用
文献类型：专利
| 作者 | 简宏希; 杨华 ; 夏元华; 孙光爱; 胡启威; 童剑飞; 傅世年; 简宏良; 黄宝琴; 王滔
|
| 发表日期 | 2021 |
| 专利号 | CN112582608 |
| 著作权人 | 散裂中子源科学中心 ; 中国科学院高能物理研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公布了一种具有三维离子及电子扩散路径晶体结构的硅掺杂铁基聚阴离子化合物Fe 3 (P 1‑x Si x O 4 ) 4 (P 1‑x Si x O 3 )及其制备方法和应用，其中0＜x≤0.2，该化合物由水热法和固体掺杂法分步制备而得，具有更高的振实密度和能量密度，库伦效率和循环性能更优，能够应用为锂离子电池的阴极材料，具有极好的工业前景。 |
| 公开日期 | 2021 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298197]  |
| 专题 | 高能物理研究所_东莞分部 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 简宏希,杨华,夏元华,等. 硅掺杂铁基聚阴离子化合物及其制备方法和应用. CN112582608. 2021-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。