一种GaN中子探测器用的10B4C中子转换层制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 朱志甫; 邹继军; 孙志嘉 ; 唐彬; 修青磊; 张明智; 王仁波; 邓文娟; 彭新村; 汤彬
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| 发表日期 | 2021 |
| 专利号 | CN112462412 |
| 著作权人 | 东华理工大学 ; 散裂中子源科学中心 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开一种GaN中子探测器用的 10 B 4 C中子转换层制备方法，包含以下步骤：在GaN体材料的两面分别沉积Cr/Pt/Au复合金属层并退火，制备成GaN器件；将 10 B 4 C粉末、丙酮和异丙醇形成的混合液装入胶管滴管中并超声混合均匀；将 10 B 4 C混合液分别滴在被匀胶机托盘吸附的GaN器件的正表面和背表面，启动匀胶机并加热，使 10 B 4 C中子转换材料均匀凝固在GaN器件的正表面和北表面；将聚酰亚胺悬涂在含有 10 B 4 C中子转换层的GaN器件正表面和背表面并烘烤固化，完成GaN中子探测器用的 10 B 4 C中子转换层制备，本发明具有制备工艺简单、制备周期短、原材料利用率高和厚膜厚度可控等优点，在热中子探测中实现了高的探测效率和高的灵敏度。 |
| 公开日期 | 2021 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298204]  |
| 专题 | 高能物理研究所_东莞分部 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱志甫,邹继军,孙志嘉,等. 一种GaN中子探测器用的10B4C中子转换层制备方法. CN112462412. 2021-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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