一种应用于中子散射腔的屏蔽体及其设计方法
文献类型：专利
| 作者 | 何伦华; 卢怀乐 ; 康乐; 陈洁; 罗平
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| 发表日期 | 2018 |
| 专利号 | CN108345028 |
| 著作权人 | 中国科学院高能物理研究所 ; 东莞中子科学中心 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明涉及中子辐射技术领域，尤指一种应用于中子散射腔的屏蔽体及其设计方法；所述的屏蔽体为采用中子吸收材料制作成的中子吸收体，中子吸收体由四个不规则形状的内壁屏蔽体和若干个空间屏蔽体装配而成，上壁屏蔽体、下壁屏蔽体、左壁屏蔽体和右壁屏蔽体分别安装在散射腔内的上壁、下壁、左壁和右壁，使得散射腔内壁上附着大面积中子吸收材料，其中上壁屏蔽体和下壁屏蔽体上设计有通气孔及沟槽；空间屏蔽体通过上壁屏蔽体和下壁屏蔽体上设计的沟槽安装在散射腔内，将散射腔分割成若干个不同空间；成功消除了中子被散射腔体和高温、高压及强磁场等样品环境设备杂散后形成的干扰信号，因而降低了谱仪背底，提升了中子散射数据的纯净度。 |
| 公开日期 | 2018 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298478]  |
| 专题 | 高能物理研究所_东莞分部 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何伦华,卢怀乐,康乐,等. 一种应用于中子散射腔的屏蔽体及其设计方法. CN108345028. 2018-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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