一种低散射背底的中子吸收材料及其制备方法和应用
文献类型：专利
| 作者 | 柯于斌 ; 曹磊; 陶举洲; 杜慧玲
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| 发表日期 | 2018 |
| 专利号 | CN107564598 |
| 著作权人 | 东莞中子科学中心 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本申请公开了一种低散射背底的中子吸收材料及其制备方法和应用。本申请的低散射背底的中子吸收材料，其主要成份包括碳化硼粉和聚四氟乙烯。本申请的中子吸收材料，在碳化硼粉中添加聚四氟乙烯，一方面，在保障中子吸收性能的前提下，提高了中子吸收材料致密化烧结的相对密度，改善了其加工性能；另一方面，使得中子吸收材料可以在450℃以下的低温进行烧结，工艺简单、能耗低、成本低。本申请的中子吸收材料，为碳化硼类中子吸收材料的大规模产业化生产和广泛应用奠定了基础。 |
| 公开日期 | 2018 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298519]  |
| 专题 | 高能物理研究所_东莞分部 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柯于斌,曹磊,陶举洲,等. 一种低散射背底的中子吸收材料及其制备方法和应用. CN107564598. 2018-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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